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URF1210	文件：174.05 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeFullPlasticDualUltrafastPowerRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
VB1210	文件：768.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBA1210	文件：625.13 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBA1210	文件：609.4 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VDA1210CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VDA1210NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VJ1210	文件：89.72 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforTCCCriticalApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：135.25 Kbytes Page：15 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforHighReliabilityApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：66.2 Kbytes Page：1 Pages	MultilayerCeramicChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：208.43 Kbytes Page：15 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorSolutionsforBoardflexSensitiveApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：136.56 Kbytes Page：14 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：117.43 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsProhibitSurfaceArc-overinHighVoltageApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：134.02 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsProhibitSurfaceArc-overinHighVoltageApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：342.37 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforHighReliabilityApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：103.47 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VN1210	文件：70.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs? AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN1210B	文件：70.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs? AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN1210D	文件：70.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs? AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN1210L	文件：70.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs? AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
UNR1210|UN1210
功能描述：
Composite Device - Transistors with built-in Resistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	UNR121F	PANASONIC/松下	24+	SIP	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市恒佳微電子有限公司	UNR-2.5/10-D3T	MURATA/村田	2021+	DIP	11000	十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十	詢價(jià)
深圳市吉中創(chuàng)電子科技有限公司	UNR-2.5/10-D5	MURATA/村田	23+	SMD	10800	只做原裝歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	UNR-2.5/10-D5-C	MURATA	1815+	DIP	6528	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十!	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	UNR-2.5/10-D5-C	MURATA/村田	23+		1	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市盈宏半導(dǎo)體科技有限公司	UNR-2.5/10-D5-C	Murata	15+	SMD	1	剛到現(xiàn)貨加微13425146986	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	UNR-2.5/10-D5-C	MURATA	2020+	模塊	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	UNR-2.5/10-D5-C	MURATA	24+	MODULE	2176	公司大量現(xiàn)貨隨時(shí)可以發(fā)貨	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	UNR-2.5/10-D5S	DATEL	24+		2568	原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	UNR-2.5/10-D5SM	DATEL	2016+	MODULE	9000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)

更多UNR1210|UN1210供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 19:10:00

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